for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... **SPA06N80C3 - Manufacturer: Infineon**  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** SPA06N80C3  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 8 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The **SPA06N80C3** is an **N-Channel MOSFET** from Infineon’s **CoolMOS™ C3** series, optimized for high efficiency and low switching losses in power applications. It features **800 V breakdown voltage**, making it suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, and industrial applications**.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (800 V)**  
- **Low gate charge (Q_g)** for fast switching  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Optimized for high efficiency** in power conversion  
- **Excellent thermal performance** due to CoolMOS™ C3 technology  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is designed for **high-performance power switching** in applications requiring **high voltage and low losses**.