for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA06N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPA06N60C3** is a **CoolMOS™ C3** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor drives, and lighting applications.

### **Features:**  
- **CoolMOS™ C3 Technology** for reduced conduction and switching losses  
- **Low Gate Charge (Q_G)** for improved efficiency  
- **Avalanche Ruggedness** for enhanced reliability  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The device is available in a **TO-220** package.  

*(Note: Always refer to the latest datasheet from Infineon for detailed and updated specifications.)*