for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA04N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPA04N60C3  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (min)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 130 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The **SPA04N60C3** is a high-voltage N-Channel MOSFET based on Infineon’s **CoolMOS™ C3 technology**, optimized for high efficiency and low switching losses. It is designed for applications requiring high voltage handling and fast switching performance, such as power supplies, lighting, and motor control.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600 V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_G)**  
- **Optimized for High Efficiency**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.