for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA04N50C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPA04N50C3  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C3  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 7pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **SPA04N50C3** is a high-voltage N-Channel MOSFET from Infineon’s **CoolMOS™ C3** family, optimized for high efficiency and low switching losses. It is designed for applications requiring high voltage handling and fast switching performance, such as power supplies, converters, and motor control.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Performance** for improved efficiency  
- **Optimized Gate Charge (Q_G)** for reduced driving losses  
- **Avalanche-Rugged Design** for enhanced reliability  
- **Low Capacitance (C_iss, C_oss, C_rss)** for high-frequency operation  
- **TO-252 (DPAK) Package** for efficient thermal management  

This information is based on Infineon’s product documentation and datasheets. For exact performance characteristics, refer to the official datasheet.

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