for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The **SPA02N80C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 800V  
- **Current Rating (I_D):** 2A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **SPA02N80C3** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for energy-efficient power supplies, inverters, and motor control systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for improved switching efficiency  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This MOSFET is optimized for applications requiring high voltage and efficient power handling.