### **Specifications:**  
- **Type:** Phototransistor  
- **Package:** 3mm (T-1)  
- **Peak Wavelength (λp):** 940nm  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V  
- **Emitter-Collector Voltage (VECO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 20mA  
- **Power Dissipation (PD):** 75mW  
- **Operating Temperature Range:** -25°C to +85°C  
- **Storage Temperature Range:** -40°C to +100°C  

### **Descriptions:**  
- The SP-1KL is a high-sensitivity silicon NPN phototransistor designed for infrared detection.  
- It features a daylight blocking filter to minimize interference from ambient light.  
- Suitable for applications requiring fast response and reliable performance.  

### **Features:**  
- High photosensitivity at 940nm wavelength.  
- Compact 3mm package for space-constrained designs.  
- Low dark current for improved signal-to-noise ratio.  
- RoHS compliant.  

(Note: All details are based on the manufacturer's datasheet.)