Triple 3-Input Positive-NAND Gates The SNJ54HC10J is a triple 3-input NAND gate from Texas Instruments (TM).  

**Manufacturer:** Texas Instruments (TM)  

**Specifications:**  
- **Technology:** High-Speed CMOS (HC)  
- **Supply Voltage Range:** 2V to 6V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 125°C (military-grade)  
- **Package:** Ceramic DIP (Dual In-Line Package)  
- **Input Type:** CMOS  
- **Output Type:** CMOS  
- **Propagation Delay:** Typically 9ns at 5V  
- **Power Consumption:** Low power dissipation  

**Descriptions and Features:**  
- Contains three independent 3-input NAND gates  
- High noise immunity  
- Balanced propagation delays  
- Wide operating voltage range  
- Compatible with TTL inputs  
- Latch-up performance exceeds 250mA per JESD 78  

This device is designed for high-reliability applications, including military and aerospace systems.

Triple 3-Input Positive-NAND Gates

Triple 3-Input Positive-NAND Gates The **SNJ54HC10J** is a triple 3-input NAND gate manufactured by **Texas Instruments (TI)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Logic Type:** Triple 3-Input NAND Gate  
- **Technology:** High-Speed CMOS (HC)  
- **Supply Voltage Range (VCC):** 2V to 6V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C (Military Grade)  
- **Input Voltage (VI):** 0V to VCC  
- **Output Voltage (VO):** 0V to VCC  
- **Propagation Delay (tpd):** Typically 15 ns at 5V  
- **Input Current (Max):** ±1 µA  
- **Output Current (Max):** ±25 mA  
- **Package Type:** Ceramic DIP (14-pin)  

### **Descriptions:**  
- The **SNJ54HC10J** is a **radiation-hardened**, **military-grade** logic IC designed for high-reliability applications.  
- It contains **three independent 3-input NAND gates** in a single package.  
- It operates over a **wide voltage range (2V–6V)** and provides **high noise immunity**.  
- The device is **fully buffered**, ensuring stable operation under varying loads.  

### **Features:**  
- **Radiation-Hardened:** Suitable for aerospace and defense applications.  
- **Wide Operating Voltage Range (2V–6V).**  
- **Low Power Consumption:** Typical ICC of 1 µA at 25°C.  
- **Balanced Propagation Delays.**  
- **High Noise Immunity (30% of VCC).**  
- **Latch-Up Performance Exceeds 250 mA per JESD 78.**  
- **Compatible with TTL Inputs (5V Operation).**  

This information is strictly based on the device's datasheet and manufacturer specifications.

Triple 3-Input Positive-NAND Gates