### **Specifications:**  
- **Logic Type:** OR Gate  
- **Number of Circuits:** 4  
- **Number of Inputs per Gate:** 2  
- **Supply Voltage Range:** 4.5V to 5.5V  
- **Propagation Delay Time:** Typically 5.5 ns at 5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C (Military Grade)  
- **Package Type:** Ceramic DIP (Dual In-Line Package)  
- **Mounting Type:** Through-Hole  
- **High-Level Output Current:** -3 mA  
- **Low-Level Output Current:** 24 mA  

### **Descriptions and Features:**  
- **Radiation-Hardened:** Designed for high-reliability applications, including military and aerospace.  
- **High-Speed Operation:** Optimized for performance in critical systems.  
- **Wide Operating Voltage:** Supports standard TTL levels.  
- **Robust Packaging:** Ceramic DIP ensures durability in harsh environments.  
- **Schottky Diode-Clamped Inputs:** Improves noise immunity and switching performance.  

This device is part of TI’s AS series, known for high-speed, low-power consumption, and radiation tolerance.