### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW (max)  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 400 (depending on conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications in portable devices.  
- Small SOT-323 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official **DIODES datasheet**.

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -20V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60-600 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) range for efficient signal amplification.  
- Suitable for low-power applications.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.