PNP General purpose Transistors The part **S9015LT1** is manufactured by **GP (General Purpose)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 70 to 400  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The **S9015LT1** is a PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is suitable for low-power circuits and is commonly used in consumer electronics, signal processing, and driver stages.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained PCB designs.  
- Low saturation voltage for efficient switching performance.  
- RoHS compliant.  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's documentation.

PNP General purpose Transistors