S9013W

Conductor Holdings Limited - NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor The S9013W is a general-purpose NPN transistor manufactured by DIODES Incorporated.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 64 ~ 202 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics, signal amplification, and driver circuits.  
- Compact SOT-323 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant and lead-free.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from DIODES Incorporated.

Conductor Holdings Limited - NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor