Conductor Holdings Limited - PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor The part **S-9012** is manufactured by **TOS** (Toshiba).  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92 (plastic-encapsulated)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 500mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on operating conditions)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- Suitable for low-power circuits.  
- Compliant with standard TO-92 package dimensions.  

For exact performance characteristics, refer to the official **TOS (Toshiba) datasheet**.

Conductor Holdings Limited - PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor