### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability in harsh conditions.  

For exact details, refer to the official STMicroelectronics datasheet.