### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 130V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** Higher than continuous rating (exact value depends on conditions)  
- **Power Dissipation (P_D):** Typically specified under certain thermal conditions  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V (max)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** Low milliohm range (specific value depends on gate voltage)  
- **Package:** TO-247 or similar power package  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power switching applications  
- Low gate charge for efficient switching performance  
- Fast switching speed  
- Avalanche ruggedness for reliability in harsh conditions  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters  

For exact values, refer to the official STMicroelectronics datasheet for the SMP50-130.