DIAC The part **SMDB3** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Part Number:** SMDB3  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Configuration:** Dual Common Anode  
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM):** 30V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 1A per diode  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.38V (typical) at 1A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (maximum) at 30V  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  

### **Descriptions:**
- The **SMDB3** is a **dual Schottky barrier diode** in a **common anode** configuration.  
- It is designed for **high-efficiency rectification** in low-voltage, high-frequency applications.  
- The device is housed in a **SMB (DO-214AA) package**, making it suitable for surface-mount applications.  

### **Features:**
- **Low forward voltage drop** for reduced power loss.  
- **High current capability** with low thermal resistance.  
- **Fast switching** performance for high-frequency circuits.  
- **Common anode configuration** simplifies PCB layout in certain designs.  
- **RoHS compliant** and halogen-free.  

This information is based solely on the provided knowledge base. For detailed application notes or further technical support, refer to the official STMicroelectronics datasheet.

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