N-Channel Enhancement-Mode Transistors The SMD15N05 is a power MOSFET manufactured by Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Siliconix (now part of Vishay)  
### **Part Number:** SMD15N05  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  

### **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance** for efficient power handling  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Logic-Level Gate Drive** (compatible with 5V drive)  

This MOSFET is commonly used in power switching applications, motor control, and DC-DC converters.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application conditions.)

N-Channel Enhancement-Mode Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Transistors The SMD15N05 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The SMD15N05 is a rugged N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- High current handling capability.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is strictly based on factual data from Ic-phoenix technical data files.

N-Channel Enhancement-Mode Transistors