**Part Number:** SMBTA13  

**Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 330mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 400 (at IC = -150mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions:**  
The SMBTA13 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a small SOT-23 surface-mount package, making it suitable for compact electronic designs.  

**Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Small SOT-23 package for space-saving designs  
- Suitable for low-power applications  

(Note: Always refer to the latest datasheet from Infineon for precise specifications.)