SMBT3906S

PNP Silicon Switching Transistor Array The SMBT3906S is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -200mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SMBT3906S is a general-purpose PNP transistor in a small SOT-23 surface-mount package.  
- Designed for amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power and high-speed circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved efficiency.  
- Low saturation voltage for better switching performance.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official Infineon datasheet.

PNP Silicon Switching Transistor Array