SMBT3906E6327

PNP Silicon Switching Transistor Arra... The **SMBT3906E6327** is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -40 V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40 V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5 V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -200 mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 330 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = -10 mA, V_CE = -1 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250 MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**
- **Package Type:** SOT-363 (SC-88)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High switching speed  
- Suitable for general-purpose amplification and switching applications  
- Compact SMD package for space-saving designs  

This transistor is commonly used in low-power amplification, signal processing, and switching circuits.

PNP Silicon Switching Transistor Arra...