General Purpose Transistors The SMBT3904UPN is a NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  
### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (VCE):** 40 V  
- **Collector-Base Voltage (VCB):** 60 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEB):** 6 V  
- **Collector Current (IC):** 200 mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 350 mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 - 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V)  
- **Transition Frequency (fT):** 300 MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
### **Descriptions:**  
- Designed for **general-purpose amplification and switching** applications.  
- Suitable for **low-power, high-speed switching** circuits.  
- Commonly used in **signal amplification, driver stages, and RF applications**.  
### **Features:**  
- **High current gain (hFE)** for improved signal amplification.  
- **Low saturation voltage** for efficient switching.  
- **High transition frequency (fT)** enabling high-frequency operation.  
- **Compact SOT-363 package** for space-constrained designs.  
This information is based on Infineon's datasheet for the SMBT3904UPN transistor.