NPN Silicon Switching Transistor Array The SMBT3904S is an NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6 V  
- **Collector Current (I_C):** 200 mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = 10 mA, V_CE = 1 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300 MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The SMBT3904S is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is optimized for high-speed switching and low noise performance.  
- Suitable for use in consumer electronics, industrial controls, and communication systems.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High transition frequency for fast switching  
- Small SOT-23 package for space-constrained designs  
- Pb-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's datasheet for the SMBT3904S. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation.

NPN Silicon Switching Transistor Array