NPN Silicon Switching Transistor with... The SMBT3904E-6327 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 330mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power, high-speed switching circuits.  
- Commonly used in signal amplification, driver stages, and digital logic circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official Infineon datasheet.

NPN Silicon Switching Transistor with...