FULLY INTEGRTED GPS LNA ICs The **SMA661ASTR** is a **surface-mount Schottky barrier diode** manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** Schottky Diode  
- **Configuration:** Single Diode  
- **Package:** SMA (DO-214AC)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 6A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55V (typical at 6A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (max at 60V)  
- **Junction Temperature (Tj):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range:** -65°C to +175°C  

### **Description:**  
The SMA661ASTR is a **high-efficiency Schottky diode** designed for **low-voltage, high-frequency rectification** applications. It features a **low forward voltage drop** and **fast switching performance**, making it suitable for **power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits**.  

### **Features:**  
- **Low forward voltage drop** for reduced power loss  
- **High current capability** (6A continuous)  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications  
- **High thermal efficiency** due to low power dissipation  
- **RoHS compliant** and lead-free  

This diode is commonly used in **switching power supplies, automotive electronics, and portable devices** where efficiency and compact size are critical.  

(All data is sourced from STMicroelectronics' official documentation.)

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