### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- High-current, low on-resistance N-Channel MOSFET.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application requirements.)