IGBTs & DuoPacks The part **SKW30N60HS** is manufactured by **Infineon**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 30 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 15 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7 V (typical) at I_C = 30 A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 200 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** High short-circuit capability for improved reliability.  
- **Temperature Stability:** Designed for stable performance across a wide temperature range.  
- **Applications:** Commonly used in power supplies, motor drives, inverters, and industrial applications.  

This information is strictly based on the technical data available for the **Infineon SKW30N60HS** IGBT.