IGBTs & DuoPacks The SKW20N60HS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SKW20N60HS  
- **Transistor Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The SKW20N60HS is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance, high switching speed, and ruggedness, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance in high-power applications.  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for reliable operation under harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance and mechanical strength.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Infineon's datasheet and product documentation. For detailed application guidelines, refer to the official datasheet.