IGBTs & DuoPacks The **SKP10N60A** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.0 V (min), 5.0 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
- The **SKP10N60A** is a **N-channel** power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for **low conduction losses** and **fast switching performance**.  
- The device is housed in a **TO-247** package, ensuring good thermal performance.  

### **Features:**
- **High voltage capability (600 V)** for robust performance in power applications.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for efficient power conversion.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **Low gate charge (Q_g)** for reduced drive requirements.  
- **Optimized for SMPS (Switched-Mode Power Supplies), motor control, and other power switching applications.**  

This information is based on Infineon's datasheet for the **SKP10N60A**.