**Specifications:**  
- **Module Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating:** 1200V  
- **Current Rating:** 200A  
- **Configuration:** Dual (2 IGBTs in a half-bridge configuration)  
- **Package Type:** SEMiX 3 Press-Fit  
- **Switching Frequency:** Suitable for medium to high-frequency applications  
- **Isolation Voltage:** High isolation voltage for safety and reliability  
- **Thermal Resistance (Rth(j-c)):** Low thermal resistance for efficient heat dissipation  
- **Mounting:** Press-fit or solderable terminals  

**Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications such as motor drives, inverters, and industrial power supplies.  
- Features low conduction and switching losses for improved efficiency.  
- Robust construction for reliable operation in harsh environments.  

**Features:**  
- Low VCE(sat) for reduced conduction losses.  
- High short-circuit capability.  
- Integrated NTC thermistor for temperature monitoring.  
- Optimized for parallel operation in high-current applications.  
- RoHS compliant.  

(Note: For detailed datasheet parameters, refer to SEMIKRON’s official documentation.)