### **Specifications:**  
- **Module Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 600V  
- **Current Rating (Ic @ 25°C):** 200A  
- **Current Rating (Ic @ 80°C):** 130A  
- **Maximum Power Dissipation (Ptot):** 600W  
- **Gate-Emitter Voltage (Vge):** ±20V  
- **Switching Frequency:** Up to 20kHz  
- **Package Type:** SEMiX 3 Press-Fit  
- **Configuration:** Dual (2 IGBTs with anti-parallel diodes)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Features low conduction and switching losses.  
- Includes integrated NTC thermistor for temperature monitoring.  
- Suitable for motor drives, UPS systems, and industrial inverters.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Press-Fit Technology:** Ensures reliable mechanical and electrical contact.  
- **Isolated Base Plate:** Provides electrical isolation for easier thermal management.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application conditions.)