### **Specifications:**  
- **Module Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 1200 V  
- **Current Rating (Ic @ 25°C):** 150 A  
- **Current Rating (Ic @ 80°C):** 100 A  
- **Max. Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce(sat)):** 2.1 V (typical)  
- **Max. Gate-Emitter Voltage (Vge):** ±20 V  
- **Switching Frequency:** Up to 20 kHz (typical)  
- **Power Dissipation (Ptot):** 625 W  
- **Isolation Voltage (Visol):** 2500 V (RMS)  
- **Operating Temperature Range (Tj):** -40°C to +150°C  
- **Mounting:** Screw terminal  
- **Weight:** ~150 g  

### **Descriptions & Features:**  
- **Package:** SEMiX™ 3 Press-Fit module  
- **Configuration:** Dual IGBT with anti-parallel diode (half-bridge)  
- **Low Losses:** Optimized for high efficiency in power conversion  
- **High Isolation:** Suitable for industrial and automotive applications  
- **Press-Fit Technology:** Enables solder-free assembly for improved reliability  
- **Integrated NTC Thermistor:** For temperature monitoring  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards  

This module is commonly used in **motor drives, UPS systems, renewable energy inverters, and industrial power supplies**.  

Let me know if you need additional verified details.