SKM100GB12T4

**Specifications:**  
- **Module Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 1200V  
- **Current Rating (Ic):** 100A  
- **Configuration:** Dual (2 IGBTs in a module)  
- **Package Type:** Module  
- **Technology:** NPT (Non-Punch Through) IGBT  
- **Reverse Diode Included:** Yes (Co-packaged freewheeling diode)  
- **Isolation Voltage:** 2500V (min)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

**Descriptions:**  
The SKM100GB12T4 is a high-power IGBT module designed for industrial applications requiring efficient switching and high current handling. It integrates two IGBTs with anti-parallel diodes, making it suitable for inverter and converter circuits.  

**Features:**  
- Low saturation voltage (Vce(sat))  
- Fast switching capability  
- High short-circuit ruggedness  
- Low thermal resistance  
- UL-recognized component (if applicable)  

Note: Always refer to the official SEMIKRON datasheet for detailed electrical characteristics and application guidelines.