IGBTs & DuoPacks The **SKB15N60HS** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SKB15N60HS  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The **SKB15N60HS** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance, high switching speed, and robust performance in high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Low Gate Charge for Efficient Driving**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based strictly on the technical details provided in Ic-phoenix technical data files.