SKB15N60

Fast S-IGBT in NPT-Technology with An... The **SKB15N60** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 45A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **SKB15N60** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (0.35Ω)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-263 (D2PAK) Package**  

This information is based on Infineon's datasheet for the SKB15N60. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

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