IGBTs & DuoPacks The SKB10N60A is a power MOSFET manufactured by IFN. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Package:** TO-220  
- **Technology:** High Voltage Power MOSFET  
- **Applications:** Switching power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage applications.  
- **Features:**  
  - Low on-resistance  
  - Fast switching speed  
  - High ruggedness and reliability  
  - Improved dv/dt capability  
  - Avalanche energy specified  

This information is based solely on the provided knowledge base.