Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs The **SIZ900DT-T1-GE3** is a Schottky diode manufactured by **Vishay**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SIZ900DT-T1-GE3  
- **Diode Type:** Schottky  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 9 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 200 A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 30 V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55 V (at 9 A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 500 µA (at 30 V)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power applications.  
- Low forward voltage drop for reduced power loss.  
- Optimized for switching power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection.  

### **Features:**  
- **High Current Capability:** Supports up to 9 A continuous forward current.  
- **Low Power Loss:** Schottky technology ensures minimal voltage drop.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Thermal Performance:** PowerPAK® SO-8 package enhances heat dissipation.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay's official documentation.

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs