N-Channel 40-V (D-S) MOSFET The **SIS434DN-T1-GE3** is a **N-Channel MOSFET** manufactured by **Vishay**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.3 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (min) to 2.5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150 pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency power management** in applications such as DC-DC converters, motor control, and power switching.  
- Features **low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- Optimized for **high-current, high-frequency switching** applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for improved efficiency.  
- **Fast switching speed** for high-frequency operation.  
- **Avalanche energy rated** for rugged performance.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **PowerPAK® SO-8 package** for enhanced thermal performance and compact footprint.  

This MOSFET is commonly used in **automotive, industrial, and consumer electronics** applications.  

Would you like any additional details?

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET