SIS426DN-T1-GE3

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The **SIS426DN-T1-GE3** is a **N-Channel MOSFET** manufactured by **Vishay**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SIS426DN-T1-GE3  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 4.2mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 71W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**
- **High Efficiency:** Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Robust Design:** High current handling capability (42A continuous drain current).  
- **Thermal Performance:** PowerPAK® SO-8 package enhances thermal dissipation.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and other high-current switching circuits.  

This MOSFET is designed for **automotive and industrial applications**, ensuring reliability under demanding conditions.  

(Note: Always verify datasheet details for precise application requirements.)

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET