SIR492DP-T1-GE3

N-Channel 12-V (D-S) MOSFET The **SIR492DP-T1-GE3** is a P-channel MOSFET manufactured by **Vishay**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -23A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -10V:** 0.042Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -4.5V:** 0.055Ω  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency in switching applications.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive industry reliability standards.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with lower gate drive voltages.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel 12-V (D-S) MOSFET