### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SIR468DP  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 V (min) to 4 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150 pF (typ)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5 V drive signals.  
- **Low Gate Charge:** Improves efficiency in high-frequency circuits.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This information is sourced from Vishay’s official datasheet for the **SIR468DP**.