N-Channel 25-V (D-S) MOSFET The **SIR408DP-T1-GE3** is a power MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SIR408DP-T1-GE3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in **power supplies, motor control, and battery management systems**.  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed and updated specifications.)

N-Channel 25-V (D-S) MOSFET