SIR402DP-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The **SIR402DP-T1-GE3** is a P-Channel MOSFET manufactured by **Vishay**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Category:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Type:** P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.042Ω @ V_GS = -4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power management** in applications such as load switching, DC-DC conversion, and battery protection.  
- **Low on-resistance (R_DS(ON))** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for high-speed switching** in portable and compact devices.  
- **PowerPAK® SO-8 package** enhances thermal performance and power handling.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications (if applicable).  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

For exact datasheet details, refer to Vishay's official documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET