SIR330DP-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET The **SIR330DP-T1-GE3** is a power MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SIR330DP-T1-GE3  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 100A  
- **RDS(ON) (Max):** 1.8mΩ @ 10V, 2.3mΩ @ 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power applications requiring low on-resistance and high current handling.  
- Suitable for switching and power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low RDS(ON):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Optimized for thermal performance and space-saving PCB design.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Ensures reliability for automotive applications.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  

This information is based on VISHAY's official documentation for the **SIR330DP-T1-GE3**. For detailed datasheets, refer to the manufacturer's website.

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET