N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The **SIR166DP-T1-GE3** is a power MOSFET manufactured by **Vishay**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Vishay**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.028Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive industry standards for reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly component.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, power management, and automotive applications**.  

(Note: Always refer to the official Vishay datasheet for the most accurate and detailed specifications.)

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET