Power MOSFET The SIHP18N50C-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SIHP18N50C-E3  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (min)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The SIHP18N50C-E3 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the provided knowledge base and does not include additional recommendations or guidance.

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