SIF912EDZ-T1-E3

Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SIF912EDZ-T1-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SIF912EDZ-T1-E3  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The SIF912EDZ-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in various circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for power efficiency  
- Robust thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based on Vishay's datasheet for the SIF912EDZ-T1-E3. For detailed technical parameters, refer to the official documentation.

Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET