N-Channel 30 V (D-S) MOSFET The SIE800DF-T1-E3 is a Schottky diode manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SIE800DF-T1-E3  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Diode  
- **Configuration:** Dual Common Anode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 8A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Reverse Voltage (VR):** 40V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55V (typical) at 8A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (maximum) at 40V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** PowerDI®5  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Termination:** SMD/SMT  
- **Number of Pins:** 3  

### **Features:**  
- Low forward voltage drop  
- High current capability  
- High efficiency  
- Common anode configuration  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- DC-DC converters  
- Reverse polarity protection  
- Freewheeling diodes  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the SIE800DF-T1-E3.

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET