Integrated DrMOS Power Stage The **SIC780ACD-T1-GE3** is a power MOSFET manufactured by **Vishay**. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SIC780ACD-T1-GE3  
- **Technology:** Silicon Carbide (SiC) MOSFET  
- **Package:** TO-263-7 (D2PAK)  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 44A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±25V  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 280mΩ (typical) at VGS = 18V  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for 800V applications, suitable for high-power switching.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Silicon Carbide (SiC) technology enables high-speed switching with reduced losses.  
- **Robust Package:** TO-263-7 (D2PAK) offers good thermal performance and mechanical durability.  
- **Wide Temperature Range:** Operates reliably in extreme conditions (-55°C to +150°C).  
- **Applications:** Used in power supplies, inverters, motor drives, and renewable energy systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Integrated DrMOS Power Stage