Integrated DrMOS Power Stage The SIC762CD is a Schottky diode manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SIC762CD  
- **Type:** Schottky Diode  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1 A per diode  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30 A (non-repetitive)  
- **Reverse Voltage (VR):** 60 V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55 V (typical at 1 A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5 mA (maximum at 60 V)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SIC762CD is a dual Schottky barrier diode in a common cathode configuration.  
- It is designed for high-efficiency rectification in low-voltage, high-frequency applications.  
- The device is housed in a surface-mount SMB package for compact PCB designs.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances power efficiency.  
- **High Surge Current Capability:** Suitable for transient protection.  
- **Fast Switching Speed:** Ideal for high-frequency applications.  
- **Common Cathode Configuration:** Simplifies circuit design in certain topologies.  
- **Surface-Mount Package (SMB):** Enables automated assembly processes.  

For detailed application notes or additional parameters, refer to Vishay's official datasheet.

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