microBUCK SiC417 10-A, 28-V Integrated Buck Regulator with Programmable LDO The SIC417CD-T1-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SIC417CD-T1-E3  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 200A  
- **Power Dissipation (PD):** 79W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2800pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 90pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  
### **Descriptions:**
- The SIC417CD-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  
- The device is optimized for efficiency in high-frequency switching applications.  
### **Features:**
- Low RDS(on) for reduced conduction losses.  
- High current capability for power applications.  
- Fast switching performance.  
- Robust thermal performance with a wide operating temperature range.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.