Dual N-Channel 20-V MOSFET The SIB912DK-T1-GE3 is a semiconductor component manufactured by Vishay. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Series:**  
SIB  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (Drain-Source, VDS):** 30V  
- **Current Rating (Drain, ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 9.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Package Type:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Suitable for switching power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- Lead (Pb)-free and RoHS-compliant.  

For more detailed specifications, refer to the official Vishay datasheet.

Dual N-Channel 20-V MOSFET